早前我们报道过三星Galaxy S8美版手机混用UFS 2.0和UFS 2.1的事情，三星官方事后修改了官方规格中对UFS 2.1的描述，买到S8/S8+手机的用户存在一定概率的“抽奖”，毕竟UFS 2.1性能比UFS 2.0快一些，拿到UFS 2.0闪存的消费者心里也会不太爽。当时微博上有三星员工表示国行Galaxy S8/S8+将全部使用UFS 2.1闪存，国内消费者可以不用碰运气了。昨晚我们也买了国行Galaxy S8，现在来看看它的UFS闪存性能如何吧。
测试用的还是Androben 5软件，对比的是自己在用的S7 edge手机，它使用的是UFS 2.0闪存，不过要说明的是这台手机自用了一年了，安装的APP和数据占据了很多存储空间，这对NAND闪存性能会有很大影响，所以S7 edge现在的性能不能代表新机表现，权当参考吧。
从测试结果来看，我们手头的Galaxy S8手机读取速度为735.15MB/s，写入速度为194.47MB/s，随机读取130.42MB/s，随机读取25.03MB/s，这个性能可以判定为UFS 2.1闪存了。
我们之前在超能课堂文章中是也对比了之前手机的UFS 2.1和UFS 2.0闪存性能，这里汇总了一下，大家可以参考Galaxy S8手机的UFS 2.1闪存性能的水平。
Zuk Z2是eMMC闪存，一加3是UFS 2.0闪存
最后目前测试的这个S8闪存性能只是个例，大家如果还有谁买了Galaxy S8或者S8+手机，可以跑下测试看看，测试软件用Androbench 5就行，三星官方自带的商店里就能搜索到，简单跑Micro测试就行。测试完了之后可以加小超哥（id：9501417）微信，找他爆料或者咨询。
手头这台S8使用的是东芝UFS闪存
使用终端模拟器检测可以得知这台S8使用的是东芝UFS闪存，颗粒THGAF4G9N4LBAIRA，是UFS 2.1规格的，容量64GB，最高速率可达1166MB/s。
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